MEMS代加工服務

業務介紹

甫一科技為客戶提供MEMS加工、設計、咨詢等服務。其技術支持范圍包括MEMS器件結構設計與模擬、可行性分析;提供MEMS 晶圓加工工藝以及單步工藝加工服務,如光刻、熱氧化、離子注入、反應離子刻蝕(用于金屬薄膜如Al、Ni、Cr、Ti等、poly和Ⅲ-Ⅴ族化合物)、反應離子刻蝕(SiO2、Si3N4、非晶硅、SiON、SiC)、PECVD(SiO2、Si3N4、非晶硅、SiC、SiON、)、LPCVD(SiO2、Si3N4、Poly)、磁控濺射(Au、Ni、Ag、Cr、 Cu、Al、Ti、Pt、Pd、Zn、Ta、Mo、W、CO、TiW、PZT和壓電薄膜AlN)電子束蒸發(Au、AuGe 、Pt、 Al、 Ti、Cr、Ni、Ag、Mg等)、深硅刻蝕、電鍍、快速退火、真空退火、CMP(減薄、研磨、拋光)、MOCVD 砷化鎵、磷化銦外延生長、切割、鍵合、電阻率和方塊測試、SEM、XRD、EDS、SIMS等測試,同時按照客戶要求,協助加工晶圓級樣品等加工服務。


工藝參數

  • 光刻: 4″,6″,8″雙面對準

  • 深硅刻蝕: BOSCH工藝,深寬比:20:1

  • RIE刻蝕: SiO2,Si3N4

  • 濕法異向腐蝕: TMAH,KOH

  • 磁控濺射: Ti,Cr,Au,Cu,Al,Pt,TiN,Ni.

  • 電子束蒸發: Ti,Cr,Au,Cu,Al,Pt,TiN,Ni.

  • 熱蒸發: Ti,Cr,Au,Cu,Al,Pt,TiN,Ni.

  • PECVD: SiO2,Si3N4,a-Si.

  • LPCVD: SiO2,Si3N4,Poly Si.

  • ICPCVD: SiO2,Si3N4,Poly Si.

  • 離子注入?

  • 柔性電子印刷

  • 電鍍:? Cu,Ni,Zn,Au,Ag,Fe-Ni

  • 深孔電鑄:Cu,Ni,Ag,Au(TSV)


? ?特色工藝

  • 硅基微納孔結構及懸空復合薄膜

  • 金屬基微納米異型孔結構

  • 玻璃/陶瓷基微納器件


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郵箱:sales@elemems.com

電話:15151533599? 劉經理

網址:www.furniturestudiodesign.com


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